作者 : 深圳基本半導體有限公司官網
出處 : https://www.basicsemi.com/h-nd-590.html
Pcore™2 E1B/Pcore™4 E1B
1200/650V E1B封裝工業級碳化矽功率模塊
為更好滿足工業客戶對於高功率密度的需求,基本半導體開發推出了工業級全碳化矽MOSFET功率模塊Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。該系列產品採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化矽(Si3N4)AMB基板等技術,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色,可應用於大功率充電樁、有源電力濾波器(APF)、儲能變流器(PCS)、高端電焊機、數據中心UPS、高頻DCDC變換器等領域。
產品拓撲
產品特點
• 高晶圓可靠性
新型內部構造極大抑制了碳化矽晶體缺陷引起的RDS(on)退化。
• 優異抗噪特性
寬柵-源電壓範圍(VGSS: -10V~+25V),及更高閾值電壓(VGS(th).typ = 4.0V),便於柵極驅動設計。
• 高熱性能及高封裝可靠性
高性能氮化矽AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善溫度循環的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。
• Press-Fit連接技術
• 集成NTC溫度傳感器
應用優勢
• 低導通電阻
• 開關損耗
• 提高系統效率,降低系統散熱需求
•可提高開關頻率,以降低設備體積,提高功率密度
• 高閾值電壓,降低誤導通風險
應用領域
• 大功率充電樁
• 有源電力濾波器(APF)
• 儲能變流器(PCS)
• 高端電焊機
• 數據中心UPS
• 高頻DCDC變換器
產品列表