基本半導體 - 新品推薦 | 工業級碳化矽MOSFET功率模塊Pcore™2 E1B(半橋)和Pcore™4 E1B(H橋)

日期 : 2024-11-14
標籤 :
SiC 碳化矽 Power Module 功率模塊 半橋 H橋

新聞內容

作者 : 深圳基本半導體有限公司官網
出處 : https://www.basicsemi.com/h-nd-590.html

Pcore™2 E1B/Pcore™4 E1B

1200/650V E1B封裝工業級碳化矽功率模塊

 1200/650V E1B封裝工業級碳化矽功率模塊
為更好滿足工業客戶對於高功率密度的需求,基本半導體開發推出了工業級全碳化矽MOSFET功率模塊Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。該系列產品採用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化矽(Si3N4)AMB基板等技術,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色,可應用於大功率充電樁、有源電力濾波器(APF)、儲能變流器(PCS)、高端電焊機、數據中心UPS、高頻DCDC變換器等領域。

 

產品拓撲
產品拓撲


產品特點

• 高晶圓可靠性
   
新型內部構造極大抑制了碳化矽晶體缺陷引起的RDS(on)退化。

• 優異抗噪特性
   
寬柵-源電壓範圍(VGSS: -10V~+25V),及更高閾值電壓(VGS(th).typ = 4.0V),便於柵極驅動設計。

• 高熱性能及高封裝可靠性
   
高性能氮化矽AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善溫度循環的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。

• Press-Fit連接技術

• 集成NTC溫度傳感器

應用優勢

低導通電阻
• 
開關損耗
• 
提高系統效率,降低系統散熱需求
可提高開關頻率,以降低設備體積,提高功率密度
• 高閾值電壓,降低誤導通風險

應用領域

大功率充電樁
• 
有源電力濾波器(APF)
• 
儲能變流器(PCS)
• 
高端電焊機
• 
數據中心UPS
• 
高頻DCDC變換器

產品列表

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