英飛凌的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化矽分立器件再度贏得行業殊榮,榮獲2024年度極光獎“年度影響力產品”獎項。與此同時,憑藉其在碳化矽技術領域的持續創新突破及產品性能的顯著提升,英飛凌被授予“第三代半導體年度標杆領軍企業”的榮譽。
“年度影響力產品”獎
第三代半導體“年度標杆領軍企業”
CoolSiC™ MOSFET 2000V
作為功率半導體行業的領導者,英飛凌持續致力於碳化矽技術的革新與發展,推動市場向更高功率等級與更高能效水平邁進。英飛凌最新一代CoolSiC™ MOSFET Generation2技術,在生產工藝、技術參數及性能表現上相較於第一代產品有了顯著的提升。
最新推出的CoolSiC™ MOSFET Generation2 TO247-4封裝產品,以單個單管7毫歐的Rdson導通電阻創業界新低,同時保持2微秒短路承受能力的卓越表現,領先業界。此外,CoolSiC™ MOSFET Generation2的最大工作結溫直接提升至200攝氏度,相較於第一代產品,這一提升尤為顯著,從而使其更加適配於電動汽車直流快速充電站、牽引逆變器、太陽能逆變器等高效能應用場景。Generation2系列碳化矽產品的推出,進一步體現了英飛凌致力於通過提供高效率產品來促進節能減排、加速低碳化進程的堅定承諾。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數字化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工,2024 會計年度 (截至9月底),公司營收約為 150億歐元。
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