三星成功完成5奈米EUV製程研發,實現更高的面積效率及超低功耗

日期 : 2019-05-02

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UV製程節點獲得重大進展 包括7奈米量產與6奈米客戶設計定案

三星電子近期宣布,已完成5奈米FinFET製程技術的研發,且已準備好向客戶提供樣品。三星在採用極紫外線(EUV)微影技術的製程中,添加另一個尖端製程節點,再次展現其在先進晶圓代工市場的領導地位。

 

相較於7奈米製程,三星的5奈米FinFET製程技術經過改良,能提升25%的邏輯晶片效率,減少20%的功耗,提高10%的性能,使三星擁有更創新性的標準單元架構。

 

從7奈米跨越到5奈米製程,除了在性能、功耗和面積(PPA)上獲得改善之外,客戶還能充份利用三星已高度發展的EUV技術。和前世代的製程一樣,5奈米製程在金屬膜使用EUV微影技術,能減少光罩層數、提供更佳的保真度。

 

5奈米製程的另一個關鍵優勢,是它能重複使用7奈米技術的所有智慧財產權(IP)。因此,當客戶從7奈米轉換至5奈米時,將能大幅降低遷移成本、擁有預先驗證的設計生態圈,進而大幅縮短5奈米產品的開發週期。

 

三星晶圓代工(Samsung Foundry)與 「三星晶圓代工SAFE 生態圈(SAFETM)」 夥伴建立密切的合作關係,自2018年第4季度起,為三星5奈米製程提供強大的設計基礎架構,包括製程設計套件(PDK)、設計方法(DM)、電子設計自動化(EDA)工具和IP。此外,三星晶圓代工(Samsung Foundry)已開始向客戶提供5奈米Multi Project Wafer(MPW)的服務。

 

三星電子晶圓事業執行副總裁Charlie Bae表示:「成功完成5奈米製程的研發,證明了三星在EUV節點的強大科研能力。為滿足客戶對先進製程技術日益殷切的需求,突顯其下世代產品的差異性,我們繼續加速EUV技術的量產腳步。」

 

2018年10月,三星宣佈準備投入7奈米製程的量產,這是三星首次採用EUV微影技術的製程節點。三星已針對首批基於EUV技術的新產品,領先業界為客戶提供商用樣品,並已於年初投入7奈米製程的量產。

此外,三星亦與客戶合作開發6奈米的客製化EUV製程節點,首款6奈米晶片已完成設計定案。

 

Charlie Bae繼續補充:「考量到5奈米製程技術的諸多優勢,包括PPA和IP等,預計諸如5G、人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)及自駕車等創新應用,將對這項製程技術產生高度的需求。憑藉三星的強大的技術競爭力,包括我們在EUV微影技術領域的領先地位,三星將繼續向客戶提供最先進的技術和解決方案。」

 

三星晶圓代工(Samsung Foundry)的EUV製程技術,目前於韓國華城工廠的S3生產線投入製造。此外,三星亦將擴充EUV產能,於華城佈署全新的EUV生產線,預定將於2019年下半年完工,於明年正式啟用並投入量產。

 

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