Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出業內首批通過AEC-Q101認證的採用雙片不對稱功率封裝的12V和20V MOSFET，可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關速度更快，可替換性能較低的標準雙片器件，而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優的MOSFET組合。相比於使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現更小尺寸的PCB設計。
今天發布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統、車載信息服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓 8V的應用，通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用，最大導通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素
器件規格表：
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產品編號 |
SQJ202EP |
SQJ200EP |
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通道 |
1 |
2 |
1 |
2 |
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VDS (V) |
12 |
20 |
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RDS(ON) (W) 最大值 |
@ VGS = 10 V |
0.0065 |
0.0033 |
0.0088 |
0.0037 |
|
@ VGS = 4.5 V |
0.0093 |
0.0045 |
0.0124 |
0.0050 |
|
|
Qg (nC)典型值 |
@ VGS = 10 V |
14.5 |
35.9 |
12 |
29 |
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ID(A) |
20 |
60 |
20 |
60 |
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SQJ200EP和SQJ202EP現可提供樣品，並已實現量產。
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