新型功率整合模組將在Electronica展出，搭配最新智能功率模組、MOSFET、IGBT和整合馬達驅動器，用於電源轉換和馬達控制
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），日前推出全新功率模組，在高度整合和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，新增至公司現已強固的電源半導體元件產品組合。
太陽能逆變器（inverter）、不斷電系統（uninterruptable power supply；UPS）逆變級和工業變頻驅動器（variable frequency drive；VFD）等應用中的功率級通常由離散（discrete）的IGBT／MOSFET整合專用驅動器和額外離散元件構成。安森美半導體全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模組（PIM）提供緊湊、高度整合的方案，採用易於貼裝（mountable）的封裝，節省空間與降低成本，極大化地減輕設計人員的挑戰。
這些元件採用Q1和Q2封裝，用於30 KW和50 KW逆變器，整合場截止（field stop）溝槽式（trench）IGBT和快速恢復二極體，提供更低的傳導（conduction）和開關損耗，並使設計人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗間折衷，以充分最佳化電路性能。直接覆銅（direct bond copper；DBC）基底（substrate）支援大電流，最大限度地降低寄生電感（parasitic inductances）的影響，使設計人員實現高開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離（creepage distance）提供3000 Vrms的隔離電壓。
此外，安森美半導體亦推出全新充分最佳化、超緊湊的智能功率級（smart power stage；SPS）多晶片模組FDMF3170，用於伺服器、資料中心、人工智慧加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。其整合兩個基於安森美半導體PowerTrench®技術的高性能功率MOSFET，與一個具高精準電流感測器的智能驅動器以實現最佳處理器性能。
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