Intel SSD 660P—首款消費類QLC SSD

日期 : 2019-06-03
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新聞內容

首個消費級3D QLC快閃記憶體NVMe固態硬碟——Intel 660p橫空出世。英特爾660p使用M.2 2280規格,使用PCIe3.0 x4介面,支援NVMe協定,目標市場是入門與主流存儲。作為家用固態硬碟,512GB起步,最高2TB的存儲容量使得它能夠滿足倉庫型固態硬碟的定位。



660P 系列外觀介面上M.2 2280規格,容量有512G,1T, 2T 三種:


這款主控採用的是慧榮SM2263EN。與自家760P所使用的SM2262相比,則砍掉了一半的快閃記憶體通道支援,自然性能也會有所降低。提供有外置DRAM緩存(外置緩存來自華邦的256MB DDR3)。不過不同容量版本都只搭配了256MB的外置DRAM緩存

Intel這代QLC顆粒採用和760P所用的TLC一樣的64層堆疊技術生產,在此工藝下生產的QLC顆粒可以達到單Die 1Tb。660P 512GB版本採用的是2Die封裝的顆粒,單顆2Tb(256GB),兩顆共計512GB



QLC快閃記憶體的自身性能顯然要比TLC更低一些,為此英特爾加強了SLC緩存演算法的研究,為660p引入動態SLC緩存策略。在空盤條件下660p的SLC緩存容量設置有一個上限,隨著使用者資料的寫入,硬碟會調整SLC緩存的範圍實現容量與性能的均衡。



在沒有觸及SLC緩存壓縮線之前,英特爾660p的表現很多3D TLC固態硬碟一樣好。在Tom’s Hardware的測試中,Intel 660p 1T(64層3D QLC快閃記憶體)甚至在PCMark 8實用性能測試中超越了Intel 760p 512G(64層3D TLC快閃記憶體)。在主控與快閃記憶體均存在劣勢的情況下660p能實現這樣的超越,只有SLC緩存演算法優化這一個答案。

當然,以上只是空盤或少量空間使用率情況下的表現,重負載或者較高空間佔用率下肯定會有不同的表現,未來還需要更多的發掘和探索。據Anandtech對1TB版本的測試,SLC緩存用盡後660p的順序寫入速度大約100MB/s。QLC不適合重負載讀寫應用,尤其是接近滿盤的情況下660p的延遲會出現暴增

以前Intel的產品,無論是600P還是760P,其SLC Cache都是一個固定數值,比如760P的Cache在5GB左右。而這次660P採用了一種動態Cache技術,即Cache容量與硬碟的可用空間有直接關係, 當硬碟使用空間在100GB以內時,SLC Cache維持在70GB。使用200GB時Cache降低為50GB,並隨後成比例下降。當硬碟使用空間超過400GB時,Cache容量縮減到4GB左右。這種動態Cache策略的應用使得硬碟在佔用較少時可以獲得更大的緩存從而得到更佳的性能。

我們都知道660P是一款主流產品,所以這個測試結果也在意料之中,無論持續讀寫還是隨機性能,在今年乃至去年所發佈的NVME產品中都處於主流水準。Intel對於512G版本的660P標注的持續讀取寫入速度分別為1500MB/S和1000MB/S,看來在Cache範圍內這個資料還是準確的



SSD 660P 系列相關參數:


英特爾為660p提供了5年保修,512G、1TB和2TB的標稱寫入耐久度分別為100TB、200TB和400TB,折合到每天的寫入量為56GB、112GB和224GB,與當代入門級TLC固態硬碟類似。

作為Intel第一款民用QLC產品,660P 系列Cache容量龐大,能夠勝任在絕大多數的使用場景,空盤或輕度使用條件下性能良好。大容量,單價便宜是不錯的選擇。

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