<input type="hidden" name="id" value="24769"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		當走進會議室時, 可以看見上方的燈自動開啟, 這是立積電子的Microwave sensor感測到有人走到會議讓燈自動開啟, 跟傳統PIR sensor的比較, 立積電子的Microwave sensor的感測距離更長, 而且不受環境溫度的影響, 並可以維持燈具的美觀, 是smart lighting最佳的位移感測方案. <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1200/tinymce/1.jpg" alt=""> 立積電子是Microwave的晶片提供商, 同時也提供不同的模塊參考設計, 包括：
RTC6011M2S模塊：尺寸大小20*20mm, 偵測距離8m
RTC6011M2模塊：尺寸大小23*32mm, 偵測距離12m
RTC6011M3模塊：尺寸大小23*56mm, 偵測距離20m <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1200/tinymce/2.jpg" alt=""> 客戶只要將模塊接上MCU, 即可以實現位移感測的功能, 除了位移偵測之外, 我們的Microwave sensor還可以做呼吸及心跳的偵測. <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1200/tinymce/3.jpg" alt="">
 以及量測距離 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1200/tinymce/4.jpg" alt=""> 立積電子的Microwave Sensor產品已經被許多客所採用並已出貨，立積電子將針對Microwave Sensor開發出更多元與完整的產品，請大家拭目以待! <a href="https://www.youtube.com/watch?v=beudvlWwhMo&amp;feature=youtu.be">https://www.youtube.com/watch?v=beudvlWwhMo&amp;feature=youtu.be</a><a href="https://www.youtube.com/watch?v=beudvlWwhMo&amp;feature=youtu.be"> </a>	</div>我要聯絡<div><ul class="pl-row"><li><a href="mailto:richwave.tw@aitgroup.com.tw" class="btnLong">我要聯絡 詮鼎集團 台灣 Richwave 產品線人員</a></li></ul></div>

立積電子所提供的MICROWAVE SENSOR是最佳的位移感測方案

<input type="hidden" name="id" value="24766"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		KSI(Kingston Solution Inc.)推出的嵌入式產品(eMMC)與市場上主流的eMMC產品一樣，將NAND Flash和Controller封裝在一起，簡化了應用程序的界面設計，缩短產品推向市廠的生產週期。 除eMMC 4GB容量為15nm製程，其餘eMMC容量，KSI 採用3D NAND Flash，容量從8GB-128GB，未來會將容量延伸到256GB，所以產品符合JEDEC eMMC 5.1規範標準，KSI  3D eMMC 目前所有的產品皆為Pin to Pin，而且尺寸大小皆為11.5x13.0採用FBGA封装153 ball。 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1201/tinymce/emmc64g-ta28.jpg" alt="">
</div>我要聯絡<div><ul class="pl-row">
<li><a href="mailto:kingston.tw@aitgroup.com.tw" class="btnLong">我要聯絡 詮鼎集團 台灣 Kingston 產品線人員</a></li>
<li><a href="mailto:kingston.cn@aitgroup.com.tw" class="btnLong">我要聯絡 詮鼎集團 中國 Kingston 產品線人員</a></li>
</ul></div>

Kingston推出3D NAND FLASH的嵌入式產品

<input type="hidden" name="id" value="24765"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		立積電子致力於WIFI FEM、PA、LNA、Switch以及被被動元件的設計開發，並大量出貨給知名的品牌 ODM與OEM客戶, 範圍含蓋電信運營商等DSL、PON、Cable、以及其它機上盒業務, 零售商的路由器與其它內建WIFI功能的消費型產品, 如遊戲機或無線音箱以及用WIFI做通訊橋樑的各項物聯網應用, WIFI已經有WIFI 4就是802.11n, WIFI 5就是802.11ac演進到WIFI 6也就是802.11ax, 傳輸的資料量也由WIFI 5的6.9Gbit/s提升到WIFI 6的9.6Gbit/s, 立積電子為您的WIFI運用提供了非常完整的射頻前端元件. <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1196/tinymce/1.jpg" alt=""> <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1196/tinymce/2.jpg" alt=""> 幾個應用實例, 如路由器需要可穿牆與穿越房間的長距離傳輸能力, 立積電子的高功率PA能夠協助你完成穿越數道牆與數個樓層的覆蓋能力, 即便是搭配WiFi 6/11ax與 WiFi 5/11ac等高傳輸量也沒有問題. <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1196/tinymce/3.jpg" alt=""> 此外像無線音箱這類的消費型產品, 即時的音訊接收及傳輸能力, 對於呈現好的音質是必要, 但平時在一般家庭很難達到, 因為家中會有很多的死角跟家具會影響到音箱的接收, 立積電子的RX FEM能夠有效的決解這個問題, 並提供您更好的接收靈敏度. <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2019/1196/tinymce/4.jpg" alt=""> 立積電子擁有完整的WiFi前端射頻元件, 走在前端的技術能力, 更可協助你達到你所想要的無線通訊涵蓋率及接收品質, 歡迎你的選用與指教. <a href="https://www.youtube.com/watch?v=_bzTCI2kPg8&amp;feature=youtu.be">https://www.youtube.com/watch?v=_bzTCI2kPg8&amp;feature=youtu.be</a>	</div>我要聯絡<div><ul class="pl-row"><li><a href="mailto:richwave.tw@aitgroup.com.tw" class="btnLong">我要聯絡 詮鼎集團 台灣 Richwave 產品線人員</a></li></ul></div>

立積電子為WIFI應用提供完整的射頻前端元件產品

一、概述&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 筆者前段時間在方案知識庫專區分享了《<a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a>》，該方案包含有基於 SemiDrive E3210 的基站主控板，基於 NXP NJJ29C2 的低頻驅動板，基於 NXP NCK2911 的高頻接收板，以及基於 NXP NCF29A1 的鑰匙板。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;今天這篇文章基於此方案跟大家分享 Demo 中 PKE/PKG 功能的實現流程以及功能展示。 二、應用場景<ol><li>PKE/PKG 通訊流程</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; PKE (Passive Keyless Entry)，即近距離車門解鎖功能。而 PKG (Passive Keyless Go)，即為車內一鍵啟動功能。PKE/PKG 通訊過程包括基站低頻發送低頻信號給鑰匙，以及鑰匙被喚醒後回傳高頻信號給基站高頻模塊接收，如下圖所示。&nbsp;<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/1_1.png" alt="圖 1 PKE/PKG 通訊" /> 圖 1 PKE/PKG 通訊<ol start="2"><li>應用場景介紹</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; ① PKE 功能 &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 該功能 Demo 中通過測試點高電平觸發，模擬實際車輛拉動汽車門把手觸發（無需操控鑰匙按鍵），基站主控命令低頻板發送 RSSI 測量命令，之後鑰匙開始 RSSI 檢測，然後將檢測結果通過 UHF 回傳，由基站主控判斷鑰匙是在車內還外。如果在車外，則會開始進行 HT-3 認證， 認證通過則車門解鎖。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; ② PKG 功能 &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 該功能與 PKE 相似，該功能 Demo 中通過按鍵觸發，模擬實際車輛使用中當司機按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 按鍵，會觸發 RSSI 檢測，但是只有當鑰匙在車內，才會開始 HT-3 認證， 認證通過方可啟動引擎； 否則引擎依舊處於鎖止狀態。三、實現流程<ol><li>PKE 功能</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 執行 PKE 功能時，鑰匙完成 RSSI 檢測回傳後，如果基站判斷在車外，認證通過則車門解鎖。PKE 功能流程如下圖所示，RSSI 值判斷僅為參考值，需根據實際調整。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke_1.png" alt="圖 2 PKE 功能實現流程" /> 圖 2 PKE 功能實現流程<ol start="2"><li>PKG 功能</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 執行 PKG 功能時，鑰匙完成 RSSI 檢測回傳後，如果基站判斷在車內，才會開始 HT-3 認證， 認證通過方可啟動引擎；否則引擎依舊處於鎖止狀態。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 若鑰匙未被喚醒，基站無法接收到回傳數據，則判斷鑰匙可能沒電，啟動 IMMO 功能進行認證，此時需要將鑰匙貼近 IMMO 天線，如果接收到的鑰匙 ID 正確，且滿足 HT-3 認證的結果， 引擎即可發動。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg_1.png" alt="圖 3 PKG 功能實現流程" /> 圖 3 PKG 功能實現流程四、功能展示<ol><li>如下圖所示，完成硬體的搭建，天線相關布置說明如下：</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; NJJ29C2 總共有 9 組天線可以使用，PKE/PKG 功能所使用到的天線通道說明如下：&nbsp;&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; (1) TX1 + TX2， 使用高功率驅動模式（最大電流可以提升至 2.5 A），用於發送 PKE/PKG RSSI 測量命令，檢測鑰匙相對天線處位置。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;(2) TX3，用於 PKE HT-3 認證。&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;(3) TX6，用於 PKG HT-3 認證。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/hardware_1.png" alt="圖 4&nbsp; 硬體連接圖" /> 圖 4&nbsp; 硬體連接圖<ol start="2"><li>PKE</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 給拓展口處 E5 高電平觸發（相當拉動門把手），TX1+TX2 發送 RSSI 測量命令以及常載波信號， 基站根據鑰匙測量的 RSSI 數值判斷鑰匙在車內還是車外。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke1_1.png" alt="圖 5 拓展口 E5 高電平觸發" /> 圖 5 拓展口 E5 高電平觸發&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果鑰匙在車外，TX3 會開始進行 HT-3 認證， 如果認證通過，則車門開啟，OLED 顯示信息如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke2_2.png" alt="圖 6 驗證通過，車門開啟（距離僅供參考）" /> 圖 6 驗證通過，車門開啟（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 相反，如果鑰匙在車內，則會提示已在車內。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pke3_1.png" alt="圖 7 鑰匙已在車內（距離僅供參考）" /> 圖 7 鑰匙已在車內（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果未檢測到鑰匙，即基站高頻接收板未接收到鑰匙測量的 RSSI 數值，會提示用戶再次嘗試。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17525/tinymce/______-0.png" alt="圖 8 未檢測到鑰匙" /> 圖 8 未檢測到鑰匙<ol start="3"><li>PKG</li></ol>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 按下用戶按鍵 SW5（相當於按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 按鍵），TX1+TX2 發送 RSSI 測量命令以及常載波信號， 基站根據鑰匙測量的 RSSI 數值判斷鑰匙在車內還是車外。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg1.png" alt="圖 9 用戶按鍵 SW5" /> 圖 9 用戶按鍵 SW5&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果鑰匙在車內，TX6 會開始進行 HT-3 認證， 如果認證通過，則引擎發動，OLED 顯示信息如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg2_2.png" alt="圖 10 引擎發動（距離僅供參考）" /> 圖 10 引擎發動（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 相反，如果鑰匙在車外，按下 &ldquo;一鍵啟動&rdquo; 時引擎依然處於鎖止狀態， OLED 如下圖所示。<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2024/16633/tinymce/pkg3_2.png" alt="圖 11 引擎鎖止（距離僅供參考）" /> 圖 11 引擎鎖止（距離僅供參考）&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 如果未接收到鑰匙測量的 RSSI 數值，在鑰匙沒電狀態下，則會啟動 IMMO 認證。五、結語&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 以上就是本篇文章的全部內容，對《<a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a>》方案感興趣，需要相關資料，可點入鏈接進行提問，聯繫我們。六、參考資料<ol><li><a href="https://www.wpgdadatong.com/solution/detail/74963" target="_blank" rel="noopener">基於 SemiDrive E3210 &amp; NXP NJJ29C2 &amp; NCK2911 &amp; NCF29A1 PEPS 無鑰匙進入方案</a></li><li>簡易操作手冊 -T23-017 PEPS Trainer_V1.0 (芯馳 E3210 PEPS 軟體部分)_Flora Weng_2024.07.08.pdf</li></ol>

PEPS Demo 之 PKE/PKG 功能實現

<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_311.png" /> 英飛凌推出適用於IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVER&trade; Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極驅動器供電。因此，2EP1xxR尤其適用於需要隔離式柵極驅動器的工業和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統、焊接、不間斷電源、驅動應用等。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_3_21.png" alt="" />EiceDRIVER&trade; Power 2EP100R&nbsp;2EP1xxR系列採用具有功率集成技術和多項優化功能的緊湊型TSSOP8引腳封裝，可產生非對稱輸出電壓。該系列通過獨特的占空比調整功能，專為非對稱式柵極驅動器電源進行了優化。這些器件支持最高20V寬輸入電壓範圍，還集成了溫度、短路和欠壓鎖定（UVLO）保護以防止意外系統故障。&nbsp;2EP1xxR系列提供四種產品型號：<ul><li>2EP100R和2EP101R專為IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器電源的低元件數設計進行了優化；</li><li>2EP110R允許對占空比進行微調，使輸出電壓比與SiC和GaN功率開關的應用要求相匹配；</li><li>2EP130R專為高度靈活的設計進行了優化，以滿足不同的應用要求。該器件不但提供5級過電流保護，還可通過41種開關頻率選項或外部PWM同步功能實現變壓器匹配，並通過41種占空比選項調整輸出電壓。</li></ul>&nbsp;供貨情況EiceDRIVER&trade; Power 2EP1xxR的全部四個型號現已上市。&nbsp;另外，為了幫助客戶進行評估，英飛凌還提供評估板：<ul><li>EVAL-2EP130R-VD</li><li>EVAL-2EP130R-PR</li><li>EVAL-2EP130R-PR-SIC</li></ul>點擊<a href="https://www.infineon.com/cms/en/design-support/finder-selection-tools/product-finder/evaluation-board/?redirId=59313" target="_blank" rel="noopener">此處</a>，了解更多信息。&nbsp;<div style="text-align: center;">掃碼下載白皮書 </div><div style="text-align: center;">了解EiceDRIVER&trade;更多內容 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/20250113_3_311.png" /> </div><hr />掃描二維碼,關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品信息 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17470/tinymce/gip.png" alt="" />

白皮書下載 | 英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列

2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、乾旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的&ldquo;綠色含量&rdquo;已成為廣泛共識。在經濟社會踏&ldquo;綠&rdquo;前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化矽作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？&nbsp;在日前舉辦的年度碳化矽媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化矽領域30年的深耕積累和差異化優勢，系統闡釋了如何做&ldquo;能源全鏈條的關鍵賦能者&rdquo; 。&nbsp;&nbsp;30年領跑碳化矽技術，做能源全鏈條關鍵賦能者&nbsp; 綠色高效的能源是英飛凌在低碳化、數字化願景下重點聚焦的三大業務增長領域之一。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人於代輝表示，進入中國市場近三十年，英飛凌持續深耕能源全鏈條，為包括發電、輸配電、儲能、用電在內的電力全價值鏈提供系統級的高能效產品和解決方案，產品廣泛應用於風電、光伏、高鐵、儲能等應用領域，為推動整個社會實現綠色低碳轉型發揮著重要作用。結合自身定位&ldquo;能源全鏈條上的關鍵賦能者&rdquo;，可以說英飛凌在發電、輸配電和儲能等領域已做到&ldquo;全鏈條覆蓋，全賽道布局&rdquo;。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_41.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技高級副總裁、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區負責人於代輝</div>&nbsp;在於代輝看來，碳化矽是滿足可持續性能源生產和消費的核心技術，能憑藉更大功率、更低損耗和更高開關速度等優勢特性，滿足綠色能源相關應用在高能效、系統級性價比和貫穿全壽命周期的可靠性等方面的要求。經過30年的深耕，在碳化矽產業這條賽道上，英飛凌以創新先行者的姿態，持續引領著碳化矽技術的發展方向。早在1992年，英飛凌便率先開始了碳化矽技術的研發，並於2001年推出了全球第一款商用碳化矽二極體，開啟了碳化矽的商用進程。此後，英飛凌不斷進行技術打磨和沉澱，加快產品的創新和疊代升級，幫助新材料在新應用中快速成長。公司的碳化矽生產線也從起初的4英寸切換到6英寸，並逐步向8英寸過渡，引領著碳化矽生產工藝的新潮流。&nbsp;一致性、領先性、創新性、經濟性和適應性，不僅是我們對碳化矽產品的期望，也是客戶在使用碳化矽過程中感受最深的五個痛點。於代輝英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人&nbsp;於代輝用&ldquo;穩&rdquo;、&ldquo;先&rdquo;、&ldquo;卓&rdquo;、&ldquo;優&rdquo;和&ldquo;融&rdquo;這五個關鍵字，傳遞出英飛凌希望通過穩定的產品質量、多元化的供應鏈保障、領先的技術創新、卓越的產品性能和優化的產能布局，來不斷滿足和解決客戶的痛點需求，推動碳化矽市場快速發展的決心和能力。&nbsp;作為英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區負責人，於代輝特彆強調了&ldquo;融&rdquo;字的重要性。與中國市場和客戶的深度融合，&ldquo;融入市場，融入客戶&rdquo;，充分了解本土市場需求、加快對市場和客戶的響應速度、加強本土應用創新能力，加深對本土需求和系統的理解，從而為國內客戶提供&ldquo;端到端&rdquo;增值服務，才能夠在激烈的市場競爭中立於不敗之地。&nbsp;&nbsp;重塑行業格局，碳化矽何以英飛凌？&nbsp; 在推動低碳化轉型的過程中，轉向可再生能源是核心環節，而如何在能源轉換過程中實現更高效的能源轉換效率則是關鍵挑戰。碳化矽恰恰就是這樣一種提升能效的功率半導體技術。其核心目標就是在低碳化轉型框架下，將兩個過去尚未被滿足的需求變為現實：一是能效創新，尤其是提升光伏、儲能、充電樁等應用的能效；二是設計創新，重點是如何將系統尺寸做得更小、成本更低、更加節能高效。&nbsp;英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐，在澄清關於碳化矽技術的兩個最常見的誤區&mdash;&mdash;可靠性之爭與性能評價原則的同時，條分縷析地闡釋了英飛凌在碳化矽技術領域的獨特優勢和創新商業模式，致力於成為客戶首選的零碳技術創新夥伴。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_4_21.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技副總裁、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐</div>&nbsp;關於溝槽柵和平面柵技術的可靠性之爭，沈璐形象地將溝槽柵架構比喻成&ldquo;下挖一個隧道&rdquo;，避開了&ldquo;坑窪不平的碳化矽柵極氧化層界面&rdquo;，通過使用更厚的氧化層和更高的篩選電壓，來最大限度地降低柵極氧化層的缺陷密度，保障可靠性。英飛凌早在10年前就倡導採用溝槽柵技術，時至今日，無論是國際還是國內大廠在下一代技術路線的選擇上都紛紛轉向了溝槽柵，也恰恰證明了溝槽柵技術優勢所在。&nbsp;關於碳化矽性能的評價原則，沈璐建議放棄單一的&ldquo;單位面積導通電阻(Rsp)&rdquo;評價標準，轉而投向包括開關損耗、導通損耗、封裝熱阻/雜感、魯棒性及可靠性在內的多元化綜合考量體系。因為在光伏、儲能、充電樁等實際應用中，碳化矽高頻開關帶來的開關損耗開始越來越接近，甚至超過導通損耗。另一方面，隨著溫度的升高，溝槽柵導通電阻高溫漂移是碳化矽的物理特性，英飛凌為用戶提供了非常詳盡的設計參數，可以幫助設計工程師用足器件性能。此外，功率器件模塊的封裝熱阻/雜感優化，對於增加功率轉換效率和密度、保持功率輸出和頻率振盪穩定性也起到重要的作用。因此，多元化評價體系將更加客觀。&nbsp;在碳化矽業務策略上，英飛凌將堅持三大方向：首先是持續布局，步履不停，不斷推進晶片技術路線的疊代和產線的升級；第二是持續創新，超越期待，如推出全球首款2kV碳化矽分立器件、全球首款基於溝槽柵技術的3.3kV碳化矽高功率模塊，以及實現業界單晶片最大功率密度的CoolSiC&trade; MOSFET G2產品等，通過持續推出創新產品，英飛凌樹立了行業的新標杆；第三是持續深耕，穿越周期，英飛凌將保持長期的戰略定力，堅持做對的事，而不是容易的事，在堅持溝槽柵技術路線、堅持可靠性承諾的同時，確保擁有全面的產品組合，面向不同行業和市場應用滿足客戶多樣的需求，駕馭周期性的考驗。沈璐英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人&nbsp;&nbsp;CoolSiC&trade;碳化矽技術，值得信賴的技術革命&nbsp; 英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽深入闡述了英飛凌CoolSiC&trade;碳化矽技術的持續精進之路以及最新一代CoolSiC&trade; MOSFET G2技術的獨特優勢。他指出，技術不僅是一種手段，更是產品性能和特性等核心價值的體現。&nbsp;<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/20250113_4_31.png" alt="" /><div style="text-align: center;">英飛凌科技高級技術總監、</div><div style="text-align: center;">工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽</div>&nbsp;在對一項技術或一款產品進行評估時，僅僅關注其電壓等級、導通電阻等基本的靜態和動態特性是遠遠不夠的，還需要綜合考慮其可靠性、穩定性以及易用性。例如，衡量碳化矽器件的性能需要全面評估多個關鍵指標，包括柵極氧化層的可靠性、體二極體的魯棒性，還有驅動電壓的延展性和抗短路能力作為可靠性的直接體現，也是評估碳化矽器件性能時不可忽視的一環。而代表碳化矽器件在性能和可靠性上不斷優化這一創新方向的關鍵技術，就是溝槽柵技術。英飛凌CoolSiC&trade; MOSFET採用了非對稱溝槽柵結構，其中的垂直溝道設計，可以保證低界面態密度與氧化層陷阱，提升載流子遷移率，並顯著降低導通電阻和開關損耗；深P阱設計則增強了柵極氧化層的可靠性，並且可以在溝槽拐角處形成高電場，起到保護作用。陳立烽英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人&nbsp;除了器件的設計結構之外，英飛凌的.XT封裝技術能夠全面優化器件的性能，將其潛力充分發揮至更高水平，陳立烽補充道。在生產工藝方面，英飛凌採用冷切割技術為晶圓生產效率的提升及供應安全保駕護航。綜上所述，從器件的結構設計到封裝方式，再到生產工藝，英飛凌正在全方位推進碳化矽技術的持續向前發展。&nbsp;在此基礎之上，英飛凌的CoolSiC&trade; MOSFET產品不斷疊代升級。新一代碳化矽技術CoolSiC&trade; MOSFET G2產品，在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）相比上一代產品優化了20%，快速開關能力也提高了30%以上，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。此外，CoolSiC&trade; MOSFET G2還採用了優異的.XT技術，用於將晶片粘合到封裝上。這種技術將晶片的瞬態熱阻降低了25%甚至更高。與傳統的鍵合技術相比，.XT技術將晶片性能提高了15%，並將其使用壽命延長了80%。&nbsp;CoolSiC&trade; MOSFET G2的另一項優勢在於它更加堅固耐用。作為1200V電壓等級功率器件的特性之一，CoolSiC&trade; MOSFET G2的最大工作結溫從過去的175攝氏度提高到了200攝氏度，這意味著客戶有了更大的靈活性，可以在過載條件下進行開發設計。與前幾代產品相比，採用CoolSiC&trade; MOSFET G2 電動汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基於CoolSiC&trade; MOSFET G2器件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域，採用 CoolSiC&trade; MOSFET G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低成本。&nbsp;踏&ldquo;綠&rdquo;前行&ldquo;碳&rdquo;新路，精&ldquo;工&rdquo;強&ldquo;基&rdquo;創未來。英飛凌將繼續加強與本土市場的融合，以創新的技術優勢、卓越的產品質量、穩健的運營模式賦能客戶，做能源全鏈條的關鍵賦能者，成為首選的零碳技術創新夥伴。&nbsp; <hr />掃描二維碼,關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品信息 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/blog/2025/17471/tinymce/gip.png" alt="" />

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