Nexperia——分立器件、邏輯器件及 MOSFET 器件的全球領導者，日前宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封裝。該封裝與其最新的矽技術相結合，可產生 40 V MOSFET，且提供 0.7 mΩ 的較低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了較大的功率封裝，如 D²PAK 和 D²PAK-7。8 x 8 mm 的尺寸使得占位面積減少了 60％，外形尺寸減小了 64％。
與其他性能通常受內部鍵合線限制的封裝不同，LFPAK88 器件採用銅片夾和焊接晶片連接結構，可降低電阻和熱阻，實現良好的電流擴散和散熱。此外，銅夾的熱導性能還幫助減少了熱點的形成，從而改善了雪崩能量 (Eas) 和線性模式 (SOA) 性能。經驗證的高連續電流額定值 ID（最大值）425 A 與低 RDS(on) 0.7 mΩ 結合在小尺寸封裝中，其具有市場領先的功率密度，與 D2PAK 封裝器件相比，最高可提高達 48 倍。
此外，LFPAK88 具有低應力鷗翼引腳，是一種更堅固耐用且耐熱的封裝，其可靠性水平比 AEC-Q101 要求的性能高出兩倍多。Nexperia 產品經理 Neil Massey 評論道：“將 LFPAK88 與我們的矽技術相結合，可以使 MOSFET 的功率密度達到 D2PAK 的 48 倍。這證明了 LFPAK 的發明者 Nexperia 仍然是這項技術的領導者。”
LFPAK88 MOSFET 分為汽車級 (BUK) 和工業級 (PSMN) 兩種。汽車應用包括制動、助力轉向、反向電池保護和 DC-DC 轉換器，通過使用這種封裝器件可以節省空間，這點在雙冗餘電路中特別有用。工業應用包括電池供電的電動工具、專業電源和電信基礎設施設備。
有關新型 40V LFPAK88 MOSFET 的更多信息，包括產品規格和數據表，請訪問 www.nexperia.com/lfpak88。