隨著全球電動車市場的快速發展，越來越多車用半導體大廠紛紛投入開發相關的應用，其中電動車EV充電樁是不可或缺的周邊設備，就像燃油車需要加油站一樣，必須提高EV充電樁的佈建密度才能因應電動車的發展。
然而，EV充電樁的用電量動輒高達數百KW，若沒有考慮到用電品質及效率，勢必會造成另外一個電力供應問題。本文係介紹安森美電動車EV充電樁解決方案，主要整合第三代半導體(1200V , SiC MOSFET)及隔離驅動IC，應用在600V~900VDC(Max) 及6KW輸出的EV充電樁。
►場景應用圖
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►產品實體圖
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►展示板照片
►方案方塊圖
►核心技術優勢
1. NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET) 安森美第三代半導體碳化矽MOSFET : NTBG022N120M3S是1200V SiC MOSFET , Rds_on (Max)=30mohm@18V(Vgs)，具有極低的Gate Charge Qg(tot)=151nC 及容抗Coss=146 pF，適合應用在高電壓，大電流及高速切換的操作條件，Vgs (閘源極) 最大電壓範圍為-10/+22V，建議Vgssop操作電壓-3/+18V。 2. NCD57084(Isolated IGBT Gate Driver IC) 安森美IGBT 隔離驅動IC： NCD57084具有高驅動電流(+7A/-7A)及2.5KVrms 內部電氣隔離電壓，另外配備DESAT Pin 偵測IGBT 短路故障，相關功能如下示： a. 具有可程式設計延遲的DESAT保護 b. 負電壓（低至 −9 V）能力，適用於 DESAT c. 短路期間的IGBT柵極箝位 d. IGBT柵極有源下拉 e. IGBT短路期間軟關斷(Soft Turn-off) f. 嚴格的UVLO 準位，實現偏差Bias靈活性 g. UVLO/DESAT期間的輸出部分脈衝迴避（重新啟動） h. 3.3 V、5 V和15 V邏輯電壓準位輸入 i. 2.5 kVrms 電壓 j. 高瞬態抗擾度 k. 高電磁抗擾度 3. 高效率輔助電源及DC-DC 轉換器： 在此開發板中，一次側驅動電路是由外部電源提供，規格為12V/1A，二次側由NCV3064 IC組成高效率輔助電源，提供+12V~+18V , -3.5Vdc電壓供驅動電路使用。
►方案規格
輸入電壓 : 600 V to 800 VDC (最大可允許900VDC)； 輸出功率 : 6KW； 輸出電壓：600V； 輸出電流 : 10A； 操作頻率：50KHZ；