半導體存儲器的類型

半導體存儲器的類型

 

半導體存儲器的類型主要分為二大類

揮發性記憶體（Volatile memory）是指當電源供應中斷後，記憶體所儲存的資料便會消失的記憶體。成本較高但是速度快，通常用於資料暫存，常見的有DRAM,SRAM

非揮發性記憶體（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料並不會消失，重新供電後，就能夠讀取記憶體中的資料。非揮發性記憶體存取速度較慢但可長久保存資料。

揮發性記憶體常見的有SRAM和DRAM
SRAM: Static RAM靜態隨機存取記憶體,  SRAM和DRAM的差異在於，DRAM得隨時充電，而SRAM儲存記憶不必作自動充電的動作，會出現充電動作的唯一時刻是有寫入動作時。如果沒有寫入的指令，在SRAM裏不會有任何東西被更動，這也是它為什麼被稱為靜態的原因。SRAM的優點是它比DRAM快得多。缺點則是它比DRAM貴許多，通常被採用來作為快取記憶體（Cache/Buffer  Memory）

DRAM: Dynamic RAM:動態隨機存取記憶體  DRAM是今日電腦標準的系統主記憶體。在DRAM裏，資訊是存放在電容器裏的一系列電荷。在幾微秒內，它就可以充電完畢，但是電容器會漏電，所以需要不斷地充電以維持電位。就是因為要不斷充電，所以它才叫作「動態」。DRAM存取速度較慢，但價格較便宜，其中SDRAM速度最快。

非揮發性記憶體常見的有EEPROM, NAND, NOR Flash等

Flash快閃記憶體又可以分為NOR flash及NAND flash.

Pseud RAM:虛擬靜態隨機存取記憶體,是由一個DRAM主體核心與傳統SRAM介面所組成 。 晶片上的刷新電路，可省略使用者需要記憶體刷新的考量。相對於傳統的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及與DRAM相容的優勢。

唯讀記憶體(ROM)或可讀寫式記憶體如傳統機械式硬碟(HDD)、固態硬碟(SSD)、快閃記憶體(Flash Memory)等雖然有不同的讀寫特性，但皆是在電源被切斷後仍可長時間保存資料。其中，Flash的操作速度與一般硬碟相比還是比較快，所以逐漸成為主流。Flash記憶體的架構和ROM一樣可以分為並聯式(NOR)跟串聯式(NAND)的，並聯式快閃記憶體(NOR-Flash)常見於主機板BIOS，串聯式快閃記憶體(NAND-Flash)則常見於一般消費性電子產品，諸如︰手機、隨身碟、SSD等，NAND Flash隨著製程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及，近年來，應用於大數據資料儲存及越來越多的筆記型電腦的固態硬碟需求增加，由NAND-Flash所製成的SSD有逐漸取代一般硬碟的趨勢。主要廠商為三星 (Samsung)、鎧俠(Kioxia)與SK海力士(SK Hynix)等。

DRAM及NAND Flash在特性與成本上具有互補性，前者每秒傳輸頻寬大、單位成本較高且消耗功率較大；後者在傳輸速度上慢、每單位成本較低且消耗功率低，因此兩者在市場與功能上具有區隔性，也構成目前記憶體產品兩大陣營，展望2020年全球記憶體市場規模為795.1億美元，其中DRAM佔比為38.9%、NAND Flash佔比55.1%。