英飛凌 IGBT 模塊的說明
模組有那些總類與型式?
為什麼需要模組?
什麼時候需要用到模組?
我該選用模組或是單管?
我的應用空間是否足夠?
模組有那些總類與型式?
…以上，都是工程師在面對新的專案的時候常常會面對到的問題。
本篇先僅就IGBT module幾項重要參數進行說明，以便工程師可以在設計前期有一些選型的參考依據標準。
首先我們先來瞭解IGBT 模組的datasheet 標示涵意:
Data Sheet 上的標示說明:
♦ 型號名稱
數據表的第一部分以模塊的型號命名開始，如下圖所示:
- Module Topology(模組內部電路圖拓樸)
♦常用的幾種包裝的內部拓樸:
◊ FF(Dual Switch):
◊ FZ(Single Switch):
◊ FS(3phas Full Bridge—Sixpack):
◊ FP(Power integrated Module)
◊ F4(H Bridge):
◊ F3L(3-Level one leg IGBT module)
◊ DF(Booster)
◊ FD (Chopper configuration)
◊ 電流等級與工作電壓:
06=600V ,
07=650V ,
12=1200V,
17=1700V
◊ 功能性(Functionality):
R:Reverse conducting,
S:Fast diode,
T:Reverse blocking.
◊ 包裝機械構造(Mechanical construction)
K: Mechanical construction.
H: Package: IHM / IHV B-Series.
I:Package:PrimePACK
M:Econo Dual
N1~3:EconoPACK 1~3
O:EconoPACK+
P: EconoPACK4
U1~3:Package:Smart 1~3
V:Easy 750
W1~3:EasyPACK, EasyPIM 1~3
※有關包裝尺寸與圖片將以另行篇幅描述
◊ 晶片類型Chip Type
F:Fast switching IGBT chip
H:High speed IGBT chip
J:SiC JFET chip
L:Low Loss IGBT chip
S:Fast trench IGBT chip
E:Low Sat & fast IGBT chip
T:Fast trench IGBT
P:Soft switching trench IGBT
※有關晶片類型與應用場合將以另行篇幅描述
◊ 模組特性(Particularity of the module)
C:With Emitter Controlled-Diode
D:Higher diode current
F:With very fast switching diode
G:Module in big housing
I:Integrated cooling
P:Pre-applied thermal interface material
R:Reduced numbers of pins
T:Low temperature type
-K:Design with common cathode
※有關模組特性將與晶片類型以另行篇幅描述
◊ 結構變化Construction variation
B1~n: Construction variation
S1~n: Electrical selection
末:
Infineon 的IGBT Module 總類齊全且多樣、豐富，但也不一定都是熱門且庫存穩定，若無從下手，或是希望能夠避免花了時間選型選到非大宗用料，歡迎撥冗與SAC的業務或PM 取得聯繫。
- IGBT Module product selection table:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/igbt-modules/
<本篇未完，待續>
本內容圖文引用自英飛凌官方網站:
- AN2011-05 Industrial IGBT Modules Explanation of Technical Information
註1. 作者: Infineon Technologies AG
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