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ST NPI 新上架產品【SGT120R65AL 商品介紹】

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650 V e模式功率GaN電晶體，
75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT


產品說明
SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的效率性能。


產品特色
• 增強型常關電晶體
• 超快的開關速度
• 高電源管理能力
• 極低電容
• Kelvin源焊盤實現理想的柵極驅動
• 零反向恢復電荷


產品優勢
• 系統效率高
• 高功率密度



推薦應用
• 面向工業驅動器的PSU
• 充電器
• 適配器
• USB PD
• 消費類電子電源
• 電信用PSU




原廠產品介紹：SGT120R65AL 點擊鏈接→ 

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