650 V e模式功率GaN電晶體，
75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT
產品說明
SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的效率性能。
產品特色
• 增強型常關電晶體
• 超快的開關速度
• 高電源管理能力
• 極低電容
• Kelvin源焊盤實現理想的柵極驅動
• 零反向恢復電荷
產品優勢
• 系統效率高
• 高功率密度
75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT
產品說明
SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的效率性能。
產品特色
• 增強型常關電晶體
• 超快的開關速度
• 高電源管理能力
• 極低電容
• Kelvin源焊盤實現理想的柵極驅動
• 零反向恢復電荷
產品優勢
• 系統效率高
• 高功率密度
評論