具有雙輸出和四輸出的超低功耗16 Mb SPI Page EEPROM
產品說明
M95P16-I是一種高密度的頁可擦除式SPI EEPROM存儲器，兼具靈活性、高性能，以及超低功耗等特點。它是一種一體式非易失性存儲解決方案，適用於需要外部NVM的超低功耗系統，用於通過RAM執行前的固件下載進行引導；通過OTA上傳固件版本；並運行參數監測、數據日誌或事件記錄。 16 Mb Page EEPROM易於使用，具有字節靈活性，與現有解決方案相比，電流峰值可控，功耗大幅降低，為設計依靠電池運行的小型模塊開闢了新的可能性。快速擦除和編程時間可縮短固件OTA更新期間的應用延遲時間。最後，高耐用性與錯誤代碼校正相結合，使其成為市場上非常可靠的NVM設備之一。M95P16-I目前採用SO8N封裝，而DFN2X3和WLCSP較小封裝將於今年晚些時候推出。
產品特色
• 16 Mb (2 MB) SPi Page EEPROM
• 字節寫入靈活性
• 512字節寫入頁面
• 1.6 V至3.6 V
• 溫度範圍-40°C至+85°C
• 80 MHz四路輸出SPI接口
• 用於快速編程的緩衝加載模式
• 30 µs快速喚醒
• 10 MHz讀取時間為0.5 mA
• 2.5 ms典型頁面寫入時間
• 1.1 ms典型頁面擦除時間
• 1.2 ms典型頁面編程時間
• 每頁500,000次寫入
• 數據保存時間長達100年
產品優勢
• 優化了初始數據上傳，減少了生產時間
• 在應用啟動時可以快速進行數據訪問
產品說明
M95P16-I是一種高密度的頁可擦除式SPI EEPROM存儲器，兼具靈活性、高性能，以及超低功耗等特點。它是一種一體式非易失性存儲解決方案，適用於需要外部NVM的超低功耗系統，用於通過RAM執行前的固件下載進行引導；通過OTA上傳固件版本；並運行參數監測、數據日誌或事件記錄。 16 Mb Page EEPROM易於使用，具有字節靈活性，與現有解決方案相比，電流峰值可控，功耗大幅降低，為設計依靠電池運行的小型模塊開闢了新的可能性。快速擦除和編程時間可縮短固件OTA更新期間的應用延遲時間。最後，高耐用性與錯誤代碼校正相結合，使其成為市場上非常可靠的NVM設備之一。M95P16-I目前採用SO8N封裝，而DFN2X3和WLCSP較小封裝將於今年晚些時候推出。
產品特色
• 16 Mb (2 MB) SPi Page EEPROM
• 字節寫入靈活性
• 512字節寫入頁面
• 1.6 V至3.6 V
• 溫度範圍-40°C至+85°C
• 80 MHz四路輸出SPI接口
• 用於快速編程的緩衝加載模式
• 30 µs快速喚醒
• 10 MHz讀取時間為0.5 mA
• 2.5 ms典型頁面寫入時間
• 1.1 ms典型頁面擦除時間
• 1.2 ms典型頁面編程時間
• 每頁500,000次寫入
• 數據保存時間長達100年
產品優勢
• 優化了初始數據上傳，減少了生產時間
• 在應用啟動時可以快速進行數據訪問
• 通過OTA更新固件，減少了系統停機時間
• 靈活的數據日誌和事件記錄，無需軟體仿真，也無需磨損均衡
• 即使在密集使用時，運行功率預算也非常低
• 非易失性存儲器將代碼和數據存儲在同一器件中，降低了物料成本
推薦應用
需要數據記錄和固件更新的超低功耗應用
相關信息
https://www.st.com/resource/en/product_presentation/page-eeprom-presentation.pdf
https://www.st.com/resource/en/application_note/an5747-page-eeprom-memory-architecture-stmicroelectronics.pdf
原廠產品介紹：M95P16-I 點擊鏈接→
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