N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列,STPOWER MOSFET MDmesh K6系列採用DPAK封裝
產品說明
這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗,採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極電荷,非常適合需要出色的功率密度和高效率的應用。
產品特色
• 全球領先的單位面積RDS(on)*
• 高功率密度
• 極低的柵極電荷
• 經過100%雪崩測試
• 穩壓保護
產品優勢
• 設計複雜度降低,效率提高
• 專門針對反激式LED驅動器拓撲設計,可實現更高的功率密度
產品說明
這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗,採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極電荷,非常適合需要出色的功率密度和高效率的應用。
產品特色
• 全球領先的單位面積RDS(on)*
• 高功率密度
• 極低的柵極電荷
• 經過100%雪崩測試
• 穩壓保護
產品優勢
• 設計複雜度降低,效率提高
• 專門針對反激式LED驅動器拓撲設計,可實現更高的功率密度
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