Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

日期 : 2020-08-27
標籤 :
Nexperia 氮化鎵 (GaN) 技術 車載充電器

新聞內容

新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用;
新器件採用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列採用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝,TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能,並具有更好的穩定性。由於採用了級聯結構並優化了器件相關參數,Nexperia的氮化鎵場效應管無需複雜的驅動和控制,應用設計大為簡化;使用標準的矽MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。

Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

新的氮化鎵技術採用了貫穿外延層的過孔,減少了缺陷並且晶片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件,導通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ(最大值,25℃的典型值為 35mΩ),同時具有高的柵級閥值電壓和低反嚮導通電壓。CCPAK封裝的新器件,將導通電阻值進一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值為 33mΩ)。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準,可滿足汽車應用的要求。

Nexperia氮化鎵戰略營銷總監 Dilder Chowdhury表示:“客戶需要導通電阻RDS(on)為30~40mΩ的650V新器件,以便實現經濟高效的高功率轉換。相關的應用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業電源,比如:機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。Nexperia持續投資氮化鎵開發,並採用新技術擴充產品組合。首先為功率模塊製造商提供了傳統的 TO-247封裝器件和裸晶片,並隨後提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件。”

Nexperia 的 CCPAK貼片封裝採用了創新的銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗,優化電氣和熱性能,並提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,使其更通用,並有助於進一步改善散熱。

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。有關更多信息,包括產品規格和數據表,請訪問:www.nexperia.cn/gan-fets

關於Nexperia
Nexperia,作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家,其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極體、雙極性電晶體、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。

憑藉幾十年來的專業經驗,Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務,並在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的智慧財產權組合,並獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。