日前，集設計研發，生產和全球銷售一體的知名功率半導體及芯片供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出嶄新1200V耐壓的碳化矽MOS管 (αSiC MOSFETs)。碳化矽為第三代半導體技術, 是一種寬能帶隙材料，與當前傳統的矽解決方案相比，新一代SiC技術具有高切換頻率、耐高壓、耐高溫、低導通阻抗、低切換損失等優點；其主要定位在新能源電網、智能工業製造與新能源汽車市場的應用，因應客戶在終端產品與日俱增的高效率與功率密度需求下，提供高效能、高可靠度的產品。
新一代αSiC技術特點可通過內部低柵極電阻(RG)的設計, 以及自身導通電阻(RDS.ON) 受整個操作溫度影響的極小增加變化量, 進而優化了此功率器件在整個操作切換頻率與工作溫度範圍下的靜態與動態功耗，故常被用於許多工業級別的應用包括太陽能逆變器(Solar Inverter)、不間斷電源系統(UPS)、新能源汽車的車載充電機(OBC) 、充電樁(Charger Station)、電機控制器等實現高功率密度與優化系統總成本等優點。
AOS首款推出碳化矽產品 - AOK065V120X2，這是一款採用TO-247-3L封裝，具有耐壓1200V、導通電阻65毫歐的αSiC MOS管。為方便兼容市面上的高壓IGBT和SiC MOS管驅動設計，AOK065V120X2具備採用-5V / + 15V柵極驅動電壓能力，且通過優化的系統設計，也可以使用單極驅動器的驅動電路應用。除此之外，αSiC MOS管提供強大的非箝位感應開關(UIS)能力與增強短路能力，同時可適應高達175°C的工作溫度範圍，因應嚴苛的應用環境。
除了AOS現有的矽MOS管和IGBT產品組合外，經過多年精進不休的研究與開發，我們AOS很榮幸能為客戶提供新一代αSiC技術。除了先前發布的650V 氮化鎵(GaN) 產品平台外，AOS自行開發的αSiC還進一步擴大了我們在預計數十億美元的寬禁帶功率半導體市場中的地位。我們致力於為每個客戶的需求提供最佳產品技術解決方案。
——AOS寬禁帶產品高級總監David Sheridan
αSiC MOSFET產品將於今年下半年推出更給力的產品系列，其中包括一系列的靜態導通電阻與封裝，以及通過AEC-Q101車規驗證標準資格的產品，請您拭目以待。
定價與供貨
作為首批發布的一部分，AOK065V120X2 (1200V 65mOhm TO-247-3L) 已量產。請不要猶豫，立馬聯繫您當地的銷售代表以獲取價格與樣片。
關於AOS
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)為集設計、開發生產與全球銷售一體的功率半導體供應商，AOS提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率PowerMOSFET, IGBT, IPM, HVIC, PowerIC以及數字電源產品系列。 AOS開發了廣泛的知識產權和技術知識，涵蓋功率半導體行業的最新進展，使我們能夠引入並創新產品，以滿足先進電子產品日益複雜的功率要求。 AOS的特色在於通過其先進的分立器件和IC半導體工藝製程、產品設計和先進的封裝技術，來開發高性能電源管理解決方案。其產品組合廣泛應用於包括便攜式電腦、平板電視、LED照明、智能手機、電池組、面向消費類和工業類電機控制以及電視、計算機、服務器和電信設備的電源。欲了解更多信息，請訪問AOS官方網站www.aosmd.com。