Broadcom首次推出用於數據中心和雲基礎架構的業界首款5nm ASIC

Broadcom Inc.日前宣布其用於數據中心和雲基礎設施的5nm ASIC器件的樣品。 該設備基於TSMC的N5工藝，尺寸為625 mm2，集成了PCIe Gen5協議，112 Gbps SerDes，以3.6 Gbps運行的HBM2e內存和利用TSMCCoWoS®插入器技術的3.6-Tbps Die2Die PHY IP。 此外，Broadcom還在針對人工智慧（AI），高性能計算（HPC）和5G無線基礎設施應用開發多種ASIC設備。

5nm技術產品亮點

• 高速多協議112 Gbps，64 Gbps和32 Gbps SerDes內核
• HBM2e和HBM3協議解決方案
• 高帶寬Die2Die PHY，用於多晶片SoC和矽分解
• 高性能和高密度標準單元庫和存儲器編譯器
• 先進的封裝解決方案，包括多晶片模塊和2.5D堆疊

5nm ASIC平台與上一代產品相比的優勢

• 用於訓練和推理應用的裸片計算量增加2倍
• 使用HBM2e和HBM3 PHY時，存儲帶寬增加了2倍至4倍
• 2倍於112 Gbps SerDes的更高帶寬串行鏈路
• 每個給定的工作功能最多可減少30％的功率
• 藉助先進的包裝解決方案降低系統尺寸並降低成本

“Broadcom的開拓性ASIC利用業界最先進的矽技術N5和我們的高性能CoWoS集成解決方案來滿足下一代雲和數據中心應用程序的苛刻要求，”高級業務副總裁Kevin Zhang博士說“我們很高興看到Broadcom的ASIC平台將啟用新的應用程序，並期待繼續合作以增強最終客戶及其創新能力。”

Broadcom ASIC產品部門高級副總裁兼總經理Frank Ostojic表示：“這種首次面市的5nm ASIC擴展了Broadcom的嵌入式SoC領導地位，並為AI，HPC，5G和超大規模基礎設施應用領域的新創新鋪平了道路。我們的創新IP，行之有效的設計方法以及與台積電的合作關係，將繼續為我們的客戶提供具有功率，性能和上市時間優勢的領先解決方案。”

有關更多信息，請訪問www.broadcom.com。