英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰

碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023 IPAC英飛凌工業功率技術大會上，發表了《英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰》的演講，詳細剖析了SiC MOSFET對驅動晶片的需求，以及我們如何應對這種挑戰。點擊視頻可觀看回放。