英飛凌第二代CoolSiC™ MOSFET 650V產品詳解
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影片簡介
英飛凌推出的第二代CoolSiC™ MOSFET 650V產品是如何憑藉碳化矽技術與先進封裝技術的結合，實現在能源效率、體積和系統成本方面的出色表現呢？
本視頻將從以下四點詳細闡述：卓越的RDS(on)特性、低失效率、高可靠性以及優化的柵極驅動設計，助力客戶在電動汽車、可再生能源和工業自動化等應用贏得機會。
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參考來源
Infineon-英飛凌工業應用：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5Njk3NDA1Mg==&mid=2651029747&idx=1&sn=fbf03265095ff85fb0ea895304d930a1&chksm=8b50c578bc274c6e491328d9df57f73281fd4c439d72bc5cdedc96946fc8db5fa3300fa9f9ab#rd :
