利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時，系統工程師更傾向於選擇碳化矽 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC 技術具有更高的效率和功率密度。為了保持整體系統高能效並減少功率損耗，為 SiC MOSFET 搭配合適的 SiC

一：商品介紹         STEVAL-7BIDIRCB是一款7千瓦雙向充電器的解決方案，由兩個階段組成： 1） 雙向三通道交錯圖騰柱PFC工作在固定頻率下的連續導通模式（CCM）。三通道交錯PFC架構保證了在寬負載範圍內的最高效率。 2） 具有同步整流的雙向諧振全橋CLLC。CLLC使用頻率調

原創  趙振波, 張昌明  英飛凌汽車電子生態圈  2024-05-15  07:02  上海 新能源車在長續航里程、低系統成本和緊湊輕量化方面提出了越來越高要求，優化設計和權衡性能指標是各子部件或系統要考慮的主要方向。隨著多合一這種高度集成化需求，像這種8合1，7合1會增強行業技術壁壘，市場占有率

不斷增長的消費需求、持續提高的環保意識/環境法規約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占

直播時間 : 2024年06月27日 10:00 - 11:30 ♦ 研討會介紹 ♦ 主題一： iGaN功率器件 已瞄準全球工業電源市場 GaN擁有高頻切換與低傳導阻抗的特色，在電源產品的高功率密度與高校小型化扮演不可或缺的角色。安森美已事先將使用離散器件GaN所會遇到的難處，例如:要如何最佳化驅動

雖然“續航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車(EV)正被越來越多的人所接受。汽車製造商繼續努力提高電動汽車的行駛里程並縮短充電時間，以克服這個影響採用率的重要障礙。電動汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由於高功率充電站數量有限，相當一部分車主仍然需要依賴車載充電器(OB

一、前言： 自從第三代半導體問世以來，第三代半導體正日益成為當今科技領域的熱門話題，其在高速運算、能源效率和高頻通信等領域展現出了巨大的應用潛力。隨著這一新興技術的快速發展，我們迫切需要對其性能進行全面的評估和測試，以確保其在實際應用中能夠達到預期的效果。本報告旨在通過Benchmark Test對

概述： 1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器，具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。 它專為非常快速的開關而設計，以驅動功率 SiC MOS電源開關. 2. NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲，並具有在閘極驅動迴路中產生負偏壓的整合機制，從而為任何類型的 S

作者：英飛凌工業半導體 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。C

作者：英飛凌工業半導體 花文敏 MPPT（Maximum Power Point Tracking）是光伏逆變器系統實現最大程度利用太陽能的關鍵部分，不同的MPPT拓撲有各自的特點。本文將對比常見的三種MPPT電路，並對雙boost (Dual Boost)的開關模式限制做了原理性分析，直觀解釋了D