全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子，日前宣布推出擁有新功能的 QspiNAND Flash，是專為 Qualcomm® 9205 LTE 調製解調器而設計的。
華邦推出業界首創的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，為新型行動網絡 NB-IoT 模塊的設計人員提供正確的儲存容量。
WebFeet Research 總裁 Alan Niebel 表示：「到了2020年，物聯網的規模將成長到500億個連網裝置，未來幾年 Quad SPI-NAND 的採用率可能會增加4到5倍，華邦的 1.8V QspiNAND Flash 相當適合汽車及 IoT 產業使用。NB-IoT 已經蓄勢待發，在全新的連網世界中茁壯成長，2023年之前出貨量可望達到全球 6億8,500萬個裝置。」
華邦電子美國分公司閃存事業群營銷部門總監 Syed S. Hussain 表示：「華邦很榮幸能全心投入創新及產品差異化，設計出 QspiNAND Flash KGD 解決方案，並獲得 Qualcomm Technologies 採用在 Qualcomm 9205 LTE 主控晶片中。我們會持續與 Qualcomm Technologies 密切合作開發內存組件，打造適合 IoT 應用的次世代 LTE 調製解調器解決方案。」
華邦立足於傳統 QSPI-NOR Flash，並進軍 QSPI-NAND Flash 領域，客戶可根據自身需求，自由選擇編碼儲存組件，以最低成本擴充規模。使用相同的 6 針腳訊號及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量，並採用 104MHz 讀取速度的全新的 Continuous Read 功能，效能毫不減損。
Qualcomm Europe Inc. 產品管理副總裁 Vieri Vanghi 表示：「Qualcomm Technologies 已對華邦的 QspiNAND Flash 進行各種測試及驗證，目前以堆棧 KGD 解決方案形式運用於 Qualcomm 9205 LTE 調製解調器，讓 OEM 客戶能打造出外型極為精巧的系統。我們很榮幸能與華邦維持長久的合作關係，期望雙方能繼續共同提供頂尖的 IoT 技術解決方案。」
W25N QspiNAND Flash 系列裝置採用節省空間的 8 針腳封裝，以往的 SLC NAND Flash 無法做到這一點。W25N512GW 為 512Mb 內存，數組分為 32,768 個可編程頁面，每頁面為 2,112 字節。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用單一讀取指令高效存取整個內存數組，是編碼映像 (code shadowing) 應用的理想選擇。
104MHz 的頻率速度，可在使用快速讀取 Dual/Quad I/O 指令時，達到相當於 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。晶片內建不良區塊管理功能，讓 NAND Flash 更容易管理。
為滿足全球對大容量解決方案持續成長的需求，華邦 QspiNAND Flash 在台灣台中的 12 吋晶圓廠進行製造。華邦正在擴展產能，以因應及確保支持汽車與 IoT 產業因全新業務帶來的預期成長。
華邦閃存技術總監 J.W. Park 表示：「SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 產品線後，有利於現有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 轉換為 QspiNAND Flash。」「華邦與客戶工程團隊合作開發這款全新的 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的設計原則下，同樣提供優異的效能。」
1.8V QspiNAND Flash 特色如下:
低功率且涵蓋不同使用場景的工作溫度
– 1.75V ~ 1.95V 供電
– 工作電流 25mA、待機電流 10μA、深度省電 (Deep Power Down) 電流1μA
– -40°C 至 +85°C 工作溫度 (工規級)
– -40°C 至 +105°C 工作溫度 (工規進階級與車規級)
獨特的內存架構
– 啟用 ECC 時的頁面讀取時間：60μs
– 頁面寫入時間：250μs (標準值)
– 區塊抹除時間：2ms (標準值)
– 快速編程/抹除的效能
– 支持 OTP 內存區域
高效能高可靠性的 QspiNAND Flash
– QSPI 實作採用 46nm 製程技術
– 數據保持 10 年以上
– 支持最高每秒 52MB 的數據傳輸率
節省空間的封裝
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)
W25N512GW 目前已上市。如需 QspiNAND Flash 特定詳細信息，請聯絡 www.winbond.com.