新聞快訊
【台北訊，2021年6月8日】推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出一對1200 V完整的碳化矽 (SiC) MOSFET 2-PACK模組，進一步強化其用於充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。
隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛需求的基礎設備，以提供一個快速充電系統網路，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW的功率水準和95%的能效成為“常規”。鑒於這些充電站部署要在不同的環境和地點，緊密性、穩固性和強化的可靠性都是設計人員面臨的挑戰。
新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模組，基於平面技術，適合18 V到20 V範圍內的驅動電壓，易於用負門極電壓驅動。它的較大裸晶與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸晶溫度。
NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是採用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是採用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝採用壓接式引腳，是工業應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫係數 (NTC) 熱敏電阻有助於溫度監測。
新的SiC MOSFET模組是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
NCD57252採用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。
安森美半導體的SiC MOSFET與新的模組和門極驅動器相輔相成，比類似的矽器件提供更勝一籌的開關性能和增強的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，並減小系統尺寸和重量。
最近發佈的650 V SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，使(RDS(on)*area) 的品質因數 (FoM) 達到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場上採用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。
1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET晶片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。
在 APEC 2021 期間，安森美半導體將展示用於工業應用的 SiC方案，並在參展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。
更多資訊：
- 方案頁面：能源基礎設施
- 影片：25 kW SiC模組電動車直流快速充電樁電源級
- 白皮書：全面解析快速直流充電
- APEC 2021
關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力於推動高能效電子創新，使世界更綠、更安全、包容及互聯。公司已轉變為客戶首選的電源、模擬、傳感器及聯結方案供應商。公司卓越的產品説明工程師解決他們在汽車、工業、雲電源及物聯網(IoT)應用中最獨特的設計挑戰。
安森美半導體運營反應敏銳、可靠的供應鏈及品質項目，及強大的 環境、社會、公司管治(ESG)計劃。公司總部位於美國亞利桑那州菲尼克斯，在其主要市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的全球業務網路。
安森美半導體和安森美半導體圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC 的註冊商標。所有本文中出現的其他品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站，但此稿並不包含其網站中有關的資訊。
# # #
媒體聯絡人：
|
沈美娟 |
高孟岑 |
何弘勇 |
|
亞太區公司行銷 |
總經理 |
公關總監 |
|
安森美半導體 |
影響力量公關 |
影響力量公關 |
|
(852) 2689-0156 |
0933-169-041 |
0910-157-723 |