安森美發布新的600 V SUPERFET®V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。
600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI）--這對服務器和 電信系統是個顯著的好處。此外，強固的體二極體和較高的VGSS（DC 30 V）增強了系統可靠性。
安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求服務器和數據存儲硬體在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強固的方案，確保持續的系統可靠性。”
FAST版本在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，並經過優化以提供更低的門極電荷（Qg）和EOSS損耗，實現快速開關。該版本的最初器件包括 NTNL041N60S5H（41 milliohm RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 milliohm RDS(on))），都採用TO-247封裝。NTP185N60S5H則採用TO-220封裝，NTMT185N60S5H採用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，並具有開爾文(Kelvin)源架構以改善門極噪聲和開關損耗。
Easy Drive版本適用於硬開關和軟開關拓撲結構，包含一個內置門極電阻（Rg）及經優化的內置電容。它們適用於許多應用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門極和源極之間的內置齊納二極體的RDS(on) 超過120 milliohm，對門極氧化物的應力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產量，降低不良率。目前供應的兩款器件 NTHL099N60S5和 NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99 milliohm和120 milliohm，均採用TO-247封裝。
快速恢復（FRFET）版本適用於軟開關拓撲結構，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優勢是快速體二極體，並提供降低的Qrr和Trr 。強固的二極體耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極體的 NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125 milliohm，採用TO-220封裝，而 NTMT061N60S5F 的RDS(on)為61 milliohm，採用Power88封裝。損耗最低的器件是 NTHL019N60S5F，RDS(on)僅19 milliohm，採用TO-247封裝。