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					<h3 class="subtitle">980 PRO固態硬碟新增超薄散熱片設計 提供玩家頂級遊戲效能體驗</h3>
<p>三星電子憑藉深厚的半導體經驗及先進技術，推出眾多深受用戶喜愛的固態硬碟產品。三星繼去年10月在台推出980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬碟，以高水準計算效能引領固態硬碟更上層樓後，今日宣布在台推出新一代980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬碟（含散熱片）<sup>（註一）</sup>。升級版的980 Pro（含散熱片）搭載8.6毫米輕薄機身，不僅大幅度減少空間限制，更能進一步優化散熱效能，提升遊戲運行時的穩定性；其規格符合PlayStation<sup>®</sup> 5更新後的擴充插槽、桌上型與筆記型電腦，為各類型玩家提供流暢不卡頓的遊戲體驗。</p>
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<p>980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬碟（含散熱片）將於11月29日起於三星商城、PChome 24h購物、momo購物網、Yahoo奇摩購物中心等全台指定通路上市<sup>（註二）</sup>，共將推出1TB及2TB兩款容量選擇，建議售價分別為NT$7,399以及NT$13,999。</p>
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<h3>980 PRO搭載全新散熱片 性能大幅提升享受極速快感</h3>
<p>980 PRO系列採用最新V-NAND技術及鍍鎳控制器，能有效管理NAND晶片的熱量水平並降低功耗；而全新升級的980 PRO（含散熱片）採用三星智慧散熱控制，能透過散熱片提升運行速度、電源效率，並最大限度地提高遊戲體驗。此外，8.6毫米的纖薄設計，可完美適用於PlayStation<sup>®</sup> 5、多款桌機及筆電。980 PRO（含散熱片）以強大的智慧散熱管理功能，減低冷卻風扇的運行及擾人的噪音，並避免因過熱而導致性能突然下降<sup>（註三）</sup>，使用戶得以專注遊戲中，享受身臨其境的遊戲體驗。</p>
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<h3>高效管理發揮極致效能 魔術師7.0升級優化數據安全再升級</h3>
<p>980 PRO系列搭載三星專為PCIe® 4.0固態硬碟訂製的內部控制器，連續讀取和寫入速度最快可分別達到每秒7,000 MB和5,100 MB，更擁有1,000K IOPS的隨機讀寫速度，較PCIe® 3.0提升2倍<sup>（註四）</sup>，滿足多種運算需求。此外，三星針對工作中需處理大型檔案，或想暢玩圖像密集型遊戲的用戶，提供三星固態硬碟專用管理軟體－三星管理魔術師7.0，透過其直覺性的介面及先進的工具，可將980 PRO系列的效能發揮至極。三星管理魔術師能提供用戶多元的解決方案，以隨時監控硬碟運行狀況、優化效能、保護重要數據，並能定期為硬碟提供重要更新，確保用戶能獲得最佳效能。</p>
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<h3>新聞附件【980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬碟（含散熱片）產品規格】</h3>
<p> <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2021/21263/tinymce/______-e1637737748253.jpg" alt=""></p>
<p><em>註一：詳情請造訪（預計11月25日中午12點上線）：980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬碟 1TB（含散熱片）<a href="https://www.samsung.com/tw/memory-storage/nvme-ssd/980-pro-with-heatsink-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v8p1t0cw/">https://www.samsung.com/tw/memory-storage/nvme-ssd/980-pro-with-heatsink-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v8p1t0cw/</a>。<br>980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 固態硬碟2TB（含散熱片）<a href="https://www.samsung.com/tw/memory-storage/nvme-ssd/980-pro-with-heatsink-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v8p2t0cw/">https://www.samsung.com/tw/memory-storage/nvme-ssd/980-pro-with-heatsink-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v8p2t0cw/</a>。</em></p>
<p><em>註二：產品實際販售通路、到貨時間，依各通路業者公告為準。</em></p>
<p><em>註三：若 SSD 溫度超過 85°C，PS5 將自動關機。980 PRO的最高溫度（S.M.A.R.T.中的複合溫度）為64°C／67.3°C。</em></p>
<p><em>註四：結果基於與三星 PCIe® 3.0 NVMe SSD的比較。效能取決於SSD硬體版本、系統硬體和系統組態。效能測量是以IOmeter 1.1.0為基礎。寫入效能測量是在啟動Intelligent TurboWrite技術的狀態下進行。測試系統配置：AMD Ryzen 9 3900X 12-Core PROcessor CPU@3.79GHz, DDR4 2666MHz 16GBx2, OS-Windows 10 PRO 64bit, Chipset-ASUS-X570-ROG CROSSHAIR VIII FORMULA。<sup>)</sup></em></p>
<p><em>註五：根據IDEMA定義，1GB=1,000,000,000 位元組。系統檔案和維護使用，可能會佔用部分容量，因此實際容量可能與產品標籤上指示的容量有所不同。</em></p>
<p><em>註六：實際功率消耗可能因系統硬體配置而異。</em></p>
<p><em>註七：平均故障間隔（平均連續無故障時間）。</em></p>
<p><em>註八：耐久性測試結果符合 JESD218 標準。有關JESD218標準詳細信息，請參訪：<a href="http://www.jedec.org/">www.jedec.org</a>；五年有限保固或TBW有限保固，以先到期者為準。有關保固更多資訊，請參訪：<a href="http://www.samsung.com/samsungssd">http://www.samsung.com/samsungssd</a> 。</em></p>				</div>
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三星推出新一代搭載散熱片的980 PRO SSD

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					<h3 class="subtitle">LPDDR5X解決方案將擴大高效能、低功耗記憶體應用範疇<br>自智慧型手機延伸至AI與邊緣應用</h3>
<p>全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布推出業界首款基於14奈米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，全面拓展5G、人工智慧和元宇宙（Ｍetaverse）等高速數據服務應用。</p>
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<p>三星電子資深副總裁暨DRAM設計團隊負責人SangJoon Hwang表示：「近年來，仰賴超高速大數據處理，如AI、擴增實境與元宇宙等超連結（Hyperconnected）市場呈現快速成長。三星LPDDR5X將高性能、低功耗記憶體應用範疇，延伸至智慧型手機之外，並為伺服器、甚至汽車等基於AI的邊緣應用，導入全新功能。」</p>				</div>
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三星推出業界首款LPDDR5X DRAM

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					<p>安森美發布<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets#products=fjI1MDIzMzd+dmFsdWV+MX42MDB+">新的600 V SUPERFET<sup>®</sup>V MOSFET系列</a>。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。</p>
<p>600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI）--這對<a href="https://www.onsemi.cn/solutions/5g-cloud-power/server-power">服務器</a>和<a href="https://www.onsemi.com/solutions/5g-cloud-power/telecom-infrastructure"> 電信</a>系統是個顯著的好處。此外，強固的體二極體和較高的VGSS（DC 30 V）增強了系統可靠性。</p>
<p>安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求服務器和數據存儲硬體在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強固的方案，確保持續的系統可靠性。”</p>
<p><strong>FAST</strong>版本在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，並經過優化以提供更低的門極電荷（Qg）和EOSS損耗，實現快速開關。該版本的最初器件包括<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/nthl041n60s5h"> NTNL041N60S5H</a>（41 milliohm RDS(on)）和<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/nthl185n60s5h">NTHL185N60S5H</a>（185 milliohm RDS(on))），都採用TO-247封裝。<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/ntp185n60s5h">NTP185N60S5H</a>則採用TO-220封裝，<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/ntmt185n60s5h">NTMT185N60S5H</a>採用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，並具有開爾文(Kelvin)源架構以改善門極噪聲和開關損耗。</p>
<p><strong>Easy Drive</strong>版本適用於硬開關和軟開關拓撲結構，包含一個內置門極電阻（Rg）及經優化的內置電容。它們適用於許多應用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門極和源極之間的內置齊納二極體的RDS(on) 超過120 milliohm，對門極氧化物的應力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產量，降低不良率。目前供應的兩款器件<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/nthl099n60s5"> NTHL099N60S5</a>和<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/nthl120n60s5z"> NTHL120N60S5Z</a>的RDS(on)為99 milliohm和120 milliohm，均採用TO-247封裝。</p>
<p>快速恢復（<strong>FRFET</strong>）版本適用於軟開關拓撲結構，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優勢是快速體二極體，並提供降低的Qrr和Trr 。強固的二極體耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極體的<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/ntp125n60s5fz"> NTP125N60S5FZ </a>的RDS(on)為125 milliohm，採用TO-220封裝，而<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/ntmt061n60s5f"> NTMT061N60S5F</a> 的RDS(on)為61 milliohm，採用Power88封裝。損耗最低的器件是<a href="https://www.onsemi.cn/products/discrete-power-modules/mosfets/nthl019n60s5f"> NTHL019N60S5F</a>，RDS(on)僅19 milliohm，採用TO-247封裝。</p>				</div>
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三星推出業界首款LPDDR5X DRAM

新聞內容

LPDDR5X解決方案將擴大高效能、低功耗記憶體應用範疇
自智慧型手機延伸至AI與邊緣應用

三星推出業界首款LPDDR5X DRAM

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LPDDR5X解決方案將擴大高效能、低功耗記憶體應用範疇自智慧型手機延伸至AI與邊緣應用

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自智慧型手機延伸至AI與邊緣應用