InnoSwitch3-EP 1250 V IC 突顯了該公司在高壓 GaN 技術方面的持續領先地位
2023 年 ECCE，田納西州那什維爾，2023 年 10 月 30 日 – Power Integrations 這家節能型功率轉換領域的高壓積體電路的領導廠商今日發佈了世界上電壓最高的單切換開關氮化鎵 (GaN) 電源供應器 IC，其配備 1250 伏特的 PowiGaN ™ 切換開關。InnoSwitch™3-EP 1250 V IC 是 Power Integrations 的 InnoSwitch 系列離線式 CV/CC QR 返馳式切換開關 IC 的最新成員，具有同步整流、FluxLink™ 安全絕緣回授和一系列切換開關選項：725 V 矽、1700 V 碳化矽以及 750 V PowiGaN、900 V PowiGaN 和 1250 V PowiGaN (目前種類)。
Power Integrations 專有的 1250 V PowiGaN 技術的切換損失不到相同電壓下同等矽裝置的三分之一。這使得功率轉換效率高達 93%，實現了極輕薄小巧的返馳式電源供應器，在沒有散熱片的情況下可提供高達 85 W 的功率。
Power Integrations 技術副總裁 Radu Barsan 表示：「Power Integrations 繼續推進高壓 GaN 技術開發和商業部署的最新技術，即使是最佳的高壓矽 MOSFET 在這一過程中也會淘汰。2019 年，我們率先將採用 GaN 技術的電源供應器 IC 大批量推向市場，並於今年早些時候推出了採用 GaN 技術的 900 伏特版本的 InnoSwitch 產品。我們正在不斷開發更高電壓的 GaN 技術，此處以新的 1250 V 裝置為例，將 GaN 的效率優勢擴展到更廣泛的應用領域，包括目前由碳化矽技術提供服務的許多應用。
使用新型 InnoSwitch3-EP 1250 V IC 的設計師可以安心指定 1000 V 的工作峰值電壓，這允許從 1250 V 的絕對最大值降低 80% 的行業標準額定值。這為工業應用提供了顯著的餘裕空間，在具有挑戰性的電力網環境中尤其有價值，在這些環境中，穩定性是抵禦電力網不穩定、突波和其他功率擾動的重要防禦措施。
可用性和資源
樣品現已上市；1250 V InnoSwitch3-EP IC 的批量出貨交付時間為 16 週。INSOP-24D 封裝中 InnoSwitch3-EP 1250 V 裝置的起步單價為 3.00 美元，每次訂購數量為 10,000 件。說明 12 V、6 A 返馳式轉換器的參考設計 DER-1025 可免費下載。