英飛凌推出全新 OptiMOS™ 6 40 V 系列：具備優異的 RDS(on) 與切換效能

英飛凌科技推出全新 OptiMOS™ 6 系列，為分立式功率 MOSFET 技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術，提供顯著的效能優勢，並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新 40 V MOSFET 系列已針對 SMPS 的同步整流進行最佳化，適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及 ORing 電路。



相較於前一代產品，新款OptiMOS 6 40 V 的導通電阻降低了 30％，具備更佳的優質係數 (Q_g x R_DS(on) 降低 29%、Q_gd x R_DS(on) 降低 46%)。因此新款裝置在 SMPS 應用中成為在寬廣輸出功率範圍內進行效率最佳化的理想選擇，避免在低負載和高負載狀況之間進行取捨。

其效率曲線明確顯示 OptiMOS 6 在低輸出功率位準表現上優於前代產品，這歸功於其優異的切換效率。即使 R_DS(on) 損耗較大時，但仍可在較高的輸出功率上維持上述優點。因此，可簡化散熱設計並減少並聯數量，進而降低系統成本。

供貨情形
OptiMOS 6 功率 MOSFET 40 V 系列提供兩種不同的封裝：
SuperSO8 尺寸為 5 mm x 6 mm、R_DS(on) 範圍從 0.7 mΩ 至 5.9 mΩ
PQFN 3x3 尺寸為 3.3 mm x 3.3 mm、R_DS(on) 範圍從1.8 mΩ 至 6.3 mΩ

詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/optimos6。