以第五代V-NAND技術打造
全新通用快閃記憶體專為數據密集型應用而生
容量較64GB內建記憶體多20倍
速度較一般microSD記憶卡快10倍
擁有全球頂尖記憶體技術的領導品牌三星電子宣佈，已開始大規模量產業界首款TB級嵌入式通用快閃記憶體（eUFS）2.1，用於新世代的行動應用。三星於四年前推出首款UFS解決方案－128GB eUFS，並於短短數年內將智慧型手機的儲存容量，推升至眾人引頸期盼的TB等級。智慧型手機的愛好者，不久將不必外接記憶卡就能享受媲美高階筆電的超霸氣容量。
三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁Cheol Choi表示：「1TB eUFS將扮演重量級推手的角色，為新世代行動裝置實現筆電級的使用體驗。更重要的是，三星致力保有最可靠的供應鏈與充裕的產能，可即時支援旗艦智慧型手機的上市，加速全球行動市場的成長。」
在相同的封裝尺寸（11.5mm×13.0mm）內，1TB eUFS較前一代512GB版本容量提升一倍，結合三星頂尖512Gb V-NAND快閃記憶體16層的疊合與最新開發的專屬控制器，智慧型手機用戶將能儲存260段長達10分鐘的4K UHD（3840×2160）影片，目前高階智慧型手機常用的64GB eUFS，大約只能儲存13段相同大小的影片。
1TB eUFS還具備出色的傳輸速度，讓用戶能在極短的時間內，傳輸大量的多媒體內容。讀取速度可達到1,000MB/s，循序讀取速度是一般2.5吋 SATA固態硬碟（SSD）的兩倍快，這表示只要短短5秒的時間，即可完成5GB大小的Full-HD影片下載，比一般的MicroSD記憶卡快上10倍。此外，其隨機讀取速度較512GB版本提升38%，最高可達58,000 IOPS。隨機寫入速度則是高性能MicroSD記憶卡（100 IOPS）的500倍，最高可達50,000 IOPS，這樣的隨機速度能高速連拍960fps幀率影片，讓智慧型手機用戶盡情享受現今和未來旗艦手機的多鏡頭功能。
三星計畫於2019上半年，在韓國平澤廠擴大第五代512Gb V-NAND的產量，以滿足全球行動裝置製造商對1TB eUFS的強勁需求。
此文轉載於台灣三星官方網站: https://news.samsung.com/tw/
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