三星新推出的256Gb V-NAND具有業界最快的數據傳輸速度，同時也是第一款應用'Toggle DDR 4.0'NAND接口的產品
三星電子是先進存儲器技術的全球領導者，今天宣布已開始批量生產其第五代V-NAND存儲芯片，並提供目前最快的數據傳輸。在業界首次使用“Toggle DDR 4.0”接口時，通過三星新的256千兆位（Gb）V-NAND在存儲和內存之間傳輸數據的速度已達到每秒1.4千兆位（Gbps），達到40％從其64層的前身增加。
三星新型V-NAND的能效與64層芯片相當，主要是因為工作電壓已從1.8V降至1.2V。新的V-NAND迄今為止的最快數據寫入速度為500微秒（μs），與上一代寫入速度相比提高了約30％，而對讀取信號的響應時間則顯著減少到50μs。
在三星的第五代V-NAND內部裝有超過90層的“ 3D charge trap flash (CTF) cells”，是業內最大的cells，堆疊在金字塔結構中，垂直鑽孔貫穿整個微觀通道孔。這些通道孔只有幾百奈米（nm）寬，包含超過850億個CTF單元，每個單元可以存儲三位數據。這種先進的存儲器製造是包括先進電路設計和新工藝技術在內的多項突破的結果。
由於V-NAND原子層沉積工藝的增強，製造生產率也提高了30％以上。先進的技術允許每個單元層的高度減少20％，防止單元之間的串聯干擾，並提高芯片數據處理的效率。
“三星的第五代V-NAND產品和解決方案將在快速增長的高端內存市場中提供最先進的NAND，”三星電子閃存產品和技術執行副總裁Kye Hyun Kyung說。“除了我們今天宣布的領先優勢之外，我們正準備在我們的V-NAND陣容中引入1TB（Tb）和quad-level cell單元（QLC）產品，這將繼續推動下一代的發展勢頭整個全球市場的NAND存儲解決方案。“
三星將迅速加大其第五代V-NAND (V5)的產量，以滿足廣泛的市場需求，因為它繼續引領超密集等關鍵領域的高密度存儲器運動，企業服務器和最新的移動應用程序，如高級智能手機。
此文轉載於三星官方新聞網: https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/mass-production-of-fifth-generation-v-nand-has-started/
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