<input type="hidden" name="id" value="23347"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET
- 進一步提升電源供應系統效率 -
 <img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2018/576/N-Toshiba-1.png" alt="N-Toshiba-1" width="675" height="484">
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。
TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(IDP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源極導通電阻RDS(ON)，以減少電源應用的損耗。更低的電容設計，使其IC成為現代高速電源應用首選元件。
改善並壓低主要性能係數- RDS(ON) x Qgd，電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品，TK040N65Z在此係數降低了40%，表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%[1]。
新產品為工業標準TO-247封裝，不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。
 
產品特點
-             降低RDS(ON) × Qgd減少切換耗損進而提升效率
 
應用方面
-             資料庫(伺服器電源供應等)
-             太陽能發電機功率調節器
-             不斷電系統
 
產品規格
<table width="90%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"><tbody>
<tr>
<td colspan="2">
產品型號
</td>
<td width="30%">
<a href="https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TK040N65Z&amp;lang=en">TK040N65Z</a>
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
封裝
</td>
<td>
TO-247
</td>
</tr>
<tr>
<td rowspan="2">
絕對最大額定值
</td>
<td>
Drain-source voltage VDSS (V)
</td>
<td>
650
</td>
</tr>
<tr>
<td>
Drain current (DC) ID (A)
</td>
<td>
57
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
最大導通電阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω)
</td>
<td>
0.040
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
Total gate charge Qg typ. (nC)
</td>
<td>
105
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
Gate-drain charge Qgd typ. (nC)
</td>
<td>
27
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2">
輸入電容 Ciss typ. (pF)
</td>
<td>
6250
</td>
</tr>
</tbody></table>
[1] 此數值由東芝測試於2018年6月(2.5kW PFC線路,輸出為2.5kW)
 
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東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z

<input type="hidden" name="id" value="23341"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		器件的電壓可達1415V，有5種小外形尺寸，可用於汽車和工業領域
<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2018/575/WPI-Automotive95-VISHAY-CRMA.JPG" alt="" width="386" height="256">
 
 
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出通過AEC-Q200認證的新系列中壓厚膜片式電阻。Vishay Techno <a href="http://www.vishay.com/ppg?68043">CRMA</a>系列電阻是針對汽車和工業應用設計開發的，可節省空間並減少元器件用量，工作電壓可達1415V，有1206至2512的5種小外形尺寸。
 
日前發布的這些器件的電壓高於標準厚膜片式電阻，非常適合電動汽車裡的電池管理和過壓保護，電源逆變器、高壓電源、除顫器和智能電路斷路器中的電壓監控和穩壓。
 
CRMA系列電阻的電阻從150Ω到75MΩ，公差只有±0.5%，溫度係數為100ppm/℃，功率等級從0.30W到1.0W。器件有塗焊膏的鎳阻擋層或塗焊膏的無磁端接，有三面卷包或只從頂部倒裝晶片的配置。
 
器件規格表：
<table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"><tbody>
<tr>
<td width="195">
產品編號
</td>
<td width="170">
外形尺寸
</td>
<td width="156">
P70 °C (W)
</td>
<td width="253">
最高工作電壓 (V)
</td>
<td width="278">
電阻(W)
</td>
</tr>
<tr>
<td width="195">
CRMA1206
</td>
<td width="170">
1206
</td>
<td width="156">
0.30
</td>
<td width="253">
550
</td>
<td width="278">
150～15 M
</td>
</tr>
<tr>
<td width="195">
CRMA1210
</td>
<td width="170">
1210
</td>
<td width="156">
0.35
</td>
<td width="253">
650
</td>
<td width="278">
300～ 20 M
</td>
</tr>
<tr>
<td width="195">
CRMA2010
</td>
<td width="170">
2010
</td>
<td width="156">
0.50
</td>
<td width="253">
895
</td>
<td width="278">
500～40 M
</td>
</tr>
<tr>
<td width="195">
CRMA2510
</td>
<td width="170">
2510
</td>
<td width="156">
0.80
</td>
<td width="253">
1265
</td>
<td width="278">
1k～60 M
</td>
</tr>
<tr>
<td width="195">
CRMA2512
</td>
<td width="170">
2512
</td>
<td width="156">
1.0
</td>
<td width="253">
1415
</td>
<td width="278">
1k～75 M
</td>
</tr>
</tbody></table>
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<li><a href="mailto:Vishay.tw@wpi-group.com" class="btnLong">我要聯絡 世平集團 台灣 VISHAY 產品線人員</a></li>
<li><a href="mailto:Vishay.cn@wpi-group.com" class="btnLong">我要聯絡 世平集團 中國 VISHAY 產品線人員</a></li>
</ul></div>

通過AEC-Q200認證的新款Vishay中壓厚膜片式電阻節省空間並減少元器件用量

<input type="hidden" name="id" value="23339"><input type="hidden" name="type" value="news"><div class="content_message_area">		器件可在-40℃～+125℃範圍內工作，電阻低至0.37Ω且保持穩定，帶寬338MHz，採用小尺寸miniQFN16封裝
<img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendor_news/2018/573/WPI-Automotive95-VISHAY-DGQ2788A.JPG" alt="" width="282" height="188">
 
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出新的通過AEC-Q100(Grade 1)認證的雙路DPDT/四路SPDT模擬開關，開關在2.7V下電阻為0.37Ω，帶寬338MHz，採用小尺寸2.6mm x 1.8mm x 0.55mm miniQFN16封裝。Vishay Siliconix <a href="http://www.vishay.com/ppg?75683">DGQ2788A</a>非常適合空間有限的汽車應用中的模擬和數位訊號開關，具有非常平的電阻和寄生電容曲線，可提高信號完整性，提供更高的帶寬。
 
日前發布的器件是Vishay正在推出的汽車系列模擬開關的首顆產品，著力解決車載智能通信、信息娛樂、高級駕駛輔助系統(ADAS)、先進診斷和引擎控制模塊、牽引和穩定性控制模塊，以及電動車窗、車鎖和後視鏡等快速增長的車載細分領域中的信號開關需求。這些應用需要音頻、視頻、總線和通信接口開關，用來對信號進行橋接和路由。
 
類似電阻的競爭器件最高工作電壓為4.3V，DGQ2788A將電壓範圍擴大到5.5V，能夠適應常用的5V工業信號。開關的電阻平坦度為10mΩ，使THD達到-100dB，提高了20dB，而其他器件的平坦度高達500mΩ。另外，DGQ2788A的寄生電容CON為26pF，COFF為14.5pF，分別低70%，使338MHz下的-3dB帶寬提高了3倍。競爭器件要達到最優的帶寬，只能使用2.3V～3.6V的供電電源。DGQ2788A採用了門控開關設計，實現了低88%的開關RC矩陣。器件具有工作電壓範圍寬、低電阻和高帶寬的優點，完全滿足各種設計需求，簡化BOM。
 
DGQ2788A的工作溫度從-40℃到+125℃，有4個獨立的可選SPDT開關和2個控制輸入。所有開關在兩個方向上都能很好地導通，可用作復用器或解復用器。開關使用一個1.8V～5.5V電源供電，數字輸入的邏輯閾值為1.2V，保證與低電壓TTL/CMOS兼容。器件符合RoHS，採用先開後合的開關方式，有掉電保護，ESD保護大於2kV(人體模型)，閂鎖電流達到per JESD78標準要求的300mA。	</div>我要聯絡<div><ul class="pl-row">
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</ul></div>

產品編號	外形尺寸	P₇₀_°_C(W)	最高工作電壓 (V)	電阻(W)
CRMA1206	1206	0.30	550	150～15 M
CRMA1210	1210	0.35	650	300～ 20 M
CRMA2010	2010	0.50	895	500～40 M
CRMA2510	2510	0.80	1265	1k～60 M
CRMA2512	2512	1.0	1415	1k～75 M

通過AEC-Q200認證的新款Vishay中壓厚膜片式電阻節省空間並減少元器件用量

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