東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET-TK040N65Z

東芝推出新一代Super Junction功率MOSFET

- 進一步提升電源供應系統效率 -

 

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出新一代650V Super Junction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用。此IC已開始量產出貨。

TK040N65Z為東芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A連續汲極電流(ID)及228A脈衝電流(I_DP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源極導通電阻RDS(ON)，以減少電源應用的損耗。更低的電容設計，使其IC成為現代高速電源應用首選元件。

改善並壓低主要性能係數- R_DS(ON) x Q_gd，電源效率隨之提高。相較於上一代DTMOS IV-H產品，TK040N65Z在此係數降低了40%，表示在2.5kW PFC電路效率表現上將會顯著地上升0.36%^[1]。

新產品為工業標準TO-247封裝，不論在傳統設計或是新應用上皆便於使用。

 

產品特點

-             降低R_DS(ON) × Q_gd減少切換耗損進而提升效率

 

應用方面

-             資料庫(伺服器電源供應等)

-             太陽能發電機功率調節器

-             不斷電系統

 

產品規格

產品型號		TK040N65Z
封裝		TO-247
絕對最大額定值	Drain-source voltage VDSS (V)	650
	Drain current (DC) ID (A)	57
最大導通電阻 RDS(ON) max @VGS= 10V (Ω)		0.040
Total gate charge Qg typ. (nC)		105
Gate-drain charge Qgd typ. (nC)		27
輸入電容 Ciss typ. (pF)		6250

[1] 此數值由東芝測試於2018年6月(2.5kW PFC線路,輸出為2.5kW)

 

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