英飛凌科技股份有限公司 持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰，透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置 (Source Down) 是符合業界標準的全新封裝概念，英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率 MOSFET – 採用 PQFN 3.3x3.3 mm 封裝的 OptiMOSTM 25 V。這款裝置在 MOSFET 性能方面樹立了新的產業標竿，不僅導通電阻 (RDS(on)) 降低，還具有業界領先的散熱管理指標，其應用範圍非常廣泛，包括：馬達驅動、SMPS (包括伺服器、電信和 OR-ing) 及電池管理等。
新封裝概念將源極 (而非傳統的汲極) 與導熱片相連。除了實現新的 PCB 布局，更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本：分別是源極底置標準閘極 (Standard-Gate) 和源極底置置中閘極 (Center-Gate) 的 PQFN 3.3x3.3 mm 封裝。源極底置標準閘極的封裝是基於既有的 PQFN 3.3x3.3 mm 引腳輸出組態。電子連接的位置保持不變，使得全新的源極底置封裝能直接取代現行標準的汲極底置 (Drain-Down) 封裝。另外針對置中閘極版本，其閘極引腳被移至中心位置，可輕鬆達成多個 MOSFET 並聯。由於汲極到源極的沿面距離增加，因此可將多個裝置的閘極連接到同一 PCB 層上。此外，將閘極連接移至中央位置還能使源極面積變大，亦有助於改善裝置的電子連接。
這項創新技術可大幅降低 RDS(on)，較現行技術減少多達 30%。相較於目前的 PQFN 封裝，結殼熱阻 (RthJC) 亦獲得大幅改善。由於寄生效應降低， PCB 耗損改善，加上出色的散熱效能，新封裝概念將為任何當代的工程設計帶來更多附加價值。
供貨情形
兩款採用 PQFN 3.3x3.3 mm 封裝的 OptiMOSTM 源極底置 25 V 功率 MOSFET 目前已開始供應。
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